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單靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備,經(jīng)過緊湊化設(shè)計,實現(xiàn)了體積與性能的平衡,造型美觀功能齊全。整機均采用觸控屏控制,內(nèi)置一鍵式鍍膜程序,操作簡單易上手,是一款實驗室制備薄膜的理想設(shè)備。
單靶為一支強磁靶,所配電源為 1臺1500W 直流電源,直流電源可用于金屬薄膜的制備。
鍍膜儀配有一路高精度質(zhì)量流量計,客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計的氣路,以滿足復(fù)雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求;儀器標配先進的渦輪分子泵組,極限真空可達 1.0E-5Pa,同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制,可以實現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品,大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機工控電腦對系統(tǒng)進行控制,在電腦程序上可以實現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能,可以進一步提高您的實驗效率。
應(yīng)用范圍:
該設(shè)備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。
規(guī)格參數(shù):
單靶直流磁控濺射鍍膜儀 |
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樣品臺 |
外形尺寸 |
Φ360mm |
可調(diào)轉(zhuǎn)速 |
1-20rpm可調(diào) |
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磁控靶槍 |
靶材平面 |
圓形平面靶 |
濺射真空 |
0.1Pa~3Pa |
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靶材直徑 |
100~101.6mm |
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靶材厚度 |
3mm |
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絕緣電壓 |
>2000V |
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電纜規(guī)格 |
SL-16 |
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靶頭溫度 |
≦65℃ |
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真空腔體 |
內(nèi)壁處理 |
電解拋光 |
腔體尺寸 |
Φ500mm × 500mm |
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腔體材料 |
304不銹鋼 |
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觀察窗口 |
石英窗口,直徑φ100mm |
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開啟方式 |
側(cè)面開啟 |
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氣體控制 |
流量控制 |
質(zhì)量流量計,量程0~100SCCM |
氣體種類 |
可選氬氣、氮氣、氧氣等多種氣體 |
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調(diào)節(jié)閥類型 |
電磁調(diào)節(jié)閥 |
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調(diào)節(jié)閥靜止狀態(tài) |
常閉 |
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測量線性度 |
±1.5%F.S |
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測量重復(fù)精度 |
±0.2%F.S |
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測量響應(yīng)時間 |
≤8秒(T95) |
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工作壓差范圍 |
0.3MPa |
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閥體耐壓 |
3MPa |
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工作環(huán)境溫度 |
(5~45)℃ |
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閥體材料 |
不銹鋼316L |
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閥體漏率 |
1×10-8Pa.m3/s |
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管道接頭 |
1/4″卡套接頭 |
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輸入輸出信號 |
0~5V |
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供電電源 |
±15V(±5%)(+15V 50mA, -15V 200mA) |
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外形尺寸mm |
130(寬)×102(高)×28(厚) |
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通訊接口 |
RS485 MODBUS協(xié)議 |
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直流電源 |
電源功率 |
1500W |
膜厚測量 |
電源要求 |
DC:5V(±10%) *大電流 400mA |
分辨率 |
±0.03Hz(5-6MHz),0.0136? /測量(鋁) |
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測量精度 |
±0.5%厚度+1計數(shù) |
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測量周期 |
100mS~1S/次(可設(shè)置) |
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測量范圍 |
500,000 ? (鋁) |
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晶體頻率 |
6MHz |
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通訊接口 |
RS-232/485串行接口 |
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顯示位數(shù) |
8位LED顯示 |
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分子泵 |
分子泵抽速 |
1200L/S |
額定轉(zhuǎn)速 |
24000rpm |
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振動值 |
≦0.1um |
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啟動時間 |
5min |
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停機時間 |
7min |
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冷卻方式 |
水冷+風冷 |
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冷卻水溫度 |
≦37℃ |
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冷卻水流速 |
1L/min |
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安裝方向 |
垂直±5° |
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抽氣接口 |
150CF |
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排氣接口 |
KF40 |
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前級泵 |
抽氣速率 |
VRD-16 |
極限真空 |
1Pa |
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供電電源 |
AC:220V/50Hz |
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電機功率 |
400W |
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噪音 |
≦56db |
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抽氣接口 |
KF40 |
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排氣接口 |
KF25 |
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閥門 |
閘板閥 |
真空腔體與分子泵間裝有閘板閥 |
切斷閥 |
分子泵與前級之間裝有切斷閥 |
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旁抽閥 |
真空腔體與前級之間裝有旁抽閥 |
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放氣閥 |
真空腔體上裝有電磁放氣閥 |
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整機極限真空 |
≦5×10-4Pa |
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測試靶材 |
直徑4英寸厚度3mm的鎳靶材1塊 |